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1、PMOS管应用原理PMOS的工作原理与NMOS相类似。

2、因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

3、当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。

4、同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

5、与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。

6、当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是VGSVTP (PMOS)，值得注意的是，PMOS的VGS和VTP都是负值。

7、PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。

8、PMOS集成电路采用-24V电压供电。

9、CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。

10、采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。

11、MOS场效应晶体管具有很高的输入阻抗，在电路中便于直接耦合，容易制成规模大的集成电路。

12、各种场效应管特性比较在2004年12月的国际电子器件会议(IEDM)上表示：双应力衬垫(DSL)方法导致NMOS和PMOS中的有效驱动电流分别增加15%和32%，饱和驱动电流分别增加11%和20%。

13、PMOS的空穴迁移率在不使用SiGe的情况下可以提高60%，这已经成为其他应变硅研究的焦点。

14、PMOS管pmos    PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管   全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor   别名 ： positive MOS。

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